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Carrera:
Ingenieria Electrónica;
Grupo: E4B Clave de la asignatura: ETF-1012 Horas teoría-horas práctica-créditos: 3-2-5 ING. MIGUEL ANGEL PÉREZ SOLANO CUB. No. 3 INGENIERO EN COMUNICACIONES Y ELECTRÓNICA/MAESTRIA EN EDUCACIÓN ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECÁNICA Y ELÉCTRICA (ESIME)- IPN. |
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"Powering the great engineers minds of tomorrow" |
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VIDEO: TRANSISTORIZED!!!!!¡Transistorizado!......Recorre el descubrimiento, la invención y el impacto del transistor, quizás el invento más importante del siglo XX. El documental relata cómo el transistor transformó por completo la vida estadounidense y cómo sus principios básicos se han convertido en tecnologías que dominarán el próximo siglo que es elactual. |
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VIDEO: IBM's new 2-nm chips have transistors smaller than a strand of DNAEn un ejemplo brillante del inexorable avance de la tecnología, IBM ha presentado nuevos chips semiconductores con los transistores más pequeños jamás fabricados. La nueva tecnología de 2 nanómetros (nm) permite a la compañía integrar la asombrosa cantidad de 50 mil millones de transistores en un chip del tamaño de una uña. |
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Basado
en la convocatoria MMCT-26 del TecNM, el multiproyecto de
microfabricación de chips está enfocado en la
selección de equipos de estudiantes para el diseño,
validación y preparación de circuitos integrados
Equipamiento y Tecnología de Microfabricación (MMCT-26):
El proyecto final implica la fabricación de una oblea de silicio de 4 pulgadas
(100 mm) de diámetro. El equipamiento técnico utilizado en el proceso
(generalmente manejado por CIDESI o instituciones colaboradoras)
incluye:
Herramientas de Diseño para los Equipos
Los
equipos seleccionados utilizan herramientas para el flujo de
diseño y validación antes de enviar a fabricación:
Siguientes pasos para los seleccionados: Los equipos aceptados deberán cumplir con la entrega de:
VER VIDEO 2.- Sesion 2. |
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CONTENIDO DE LA MATERIA 1.-
CIRCUITOS DE APLICACION CON DIODOS. <<<Bajar el siguiente documento: U1: Diodos del libro de Boylestand>>>
1.1. Polarización y
recta de carga.
1.2. Circuitos serie, paralelo, serie-paralelo en DC. 1.3. Circuitos de: 1.3.1. Rectificación y filtrado. (media onda y onda completa). 1.3.2. Recortadores. 1.3.3. Sujetadores. 1.3.4. Multiplicadores. 1.4. Diodo Zener. 1.4.1. Circuitos reguladores. 1.5. Otros diodos (Varactor, Schottky, PIN,Avalancha, Gunn, Túnel, LASER, etc.) características y circuitos de aplicación. 2.- TRANSISTOR BIPOLAR (BJT: Bi_Junction_Transistor): NPN, PNP. 2.1.
Características, parámetros y punto de operación.
2.2. Configuraciones de polarización. 2.2.1. Emisor común. 2.2.1.1. Polarización fija. 2.2.1.2. Polarización de emisor. 2.2.1.3. Polarización por divisor de voltaje. 2.2.1.4. Polarización por realimentación de colector. 2.2.2. Base común. 2.2.3. Colector común. 2.3. Conmutación. 2.4. Estabilidad. 3.- TRANSISTOR UNIPOLAR (UJT: Uni_Junction Transistor) (FET, MOSFET). 3.1. Configuraciones de
polarización.
3.1.1. Fija. 3.1.2. Autopolarización. 3.1.2.1. Utilizando la curva de polarización universal. 3.2. Polarización por divisor de voltaje. 3.2.1. Utilizando la curva de polarización universal. 3.3. Configuración en compuerta y drenador común. 3.4. Polarización de MOSFET. 3.5. Redes combinadas. 4.- AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BJT´s Y FET´s. 4.1. Introducción a
los Amplificadores en pequeña señal.
4.2. Amplificador con BJT. 4.2.1. Modelo re. 4.2.2. Parámetros de redes de 2 puertos. 4.2.3. Modelo Hibrido. 4.2.4. Determinación de los parámetros del amplificador en pequeña señal para las diferentes configuraciones. 4.2.5. Efecto de la resistencia Rs y RL. 4.2.6. Análisis por computadora. 4.3. Amplificador con JFET. 4.3.1. Modelo del JFET en pequeña señal. 4.3.2. Determinación de los parámetros de un amplificador en pequeña señal para las diferentes configuraciones de polarización. 4.3.3. Análisis de circuitos amplificadores con MOSFET. 5.- PROYECTO FINAL. 5.1. Diseño de una fuente de alimentación: 5.1.1. Utilizando regulador transistorizado. 5.1.2. Utilizando regulador de Circuito Integrado. |
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BACKGROUND
